美国的Micron Technology开始加快EUVDRAM的速度。加入由三星电子和SK Hynix等世界第一和第二EUV制造商选择的EUV营地之后，随后的EUV竞争可能会变得更加激烈。根据韩国媒体etnews的报道，美光科技已开始通过多个网站招聘EUV设备开发工程师。美光的公告显示，该公司正在招募负责开发美光EUV设备扫描仪技术，EUV系统管理以及与ASML通信的人才。工作地点是美国爱达荷州美光（Micron）总部博伊西（Boise）。美光公司是全球第三大DRAM制造商，其全球市场份额仅次于三星电子和SK海力士。本月初，由于一小时的停电，美光的台湾DRAM工厂也停止了生产。截至第三季度，良好的表现吸引了业界的关注。在NandFlash领域，它还率先发布了世界上第一个176层产品。与其他DRAM制造商一样，该公司已将10纳米3代（1z）产品作为新产品投入生产。它计划在明年上半年批量生产第四代（1a）DRAM。但是与三星电子和SK Hynix不同，它没有计划在1aDRAM产品上使用EUV技术。 EUV工艺最近在称为IT设备大脑的集成芯片领域中变得很流行，并且有望在短期内渗透到DRAM的其他层。但是，与ArF工艺相比，技术难度仍然很高，设备的运行成本也相对较高。根据美光披露的信息，在下一代DRAM＆＃39;1-β＆＃39;之前，尚无计划采用EUV工艺。产品，并要考虑费用，成本和技术限制。美光公司副总裁Scott DeBoer表示：在分析了各种因素之后，我们将开始介绍1-δ（10nm第七代）产品的EUV工艺。该招聘公告表明，该公司将通过招聘精通EUV技术的专家来积累技术，以确保在最佳时间引入EUV流程策略。美光未来正式进入EUVDRAM量产市场后，这三家公司在存储器市场上的竞争将更加激烈。排名第一的三星在DRAM市场中占有40％的市场份额，已在其1z产品中引入了EUV技术以宣布技术领先地位差距，计划于明年推出的1a产品的EUV工艺比例也已达到行业的焦点。 SK海力士明年也在忙于介绍1aDRAM的EUV工艺。 SK海力士计划明年在京畿道利川市的新的DRAM工厂M16中使用新的EUV系统，并努力批量生产EUV技术。