Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，以提高高频应用中的能效

宾夕法尼亚州马尔文市-2021年1月28日-日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出十个新的650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基（MPS）结构设计，可通过减少开关损耗且不受温度变化的影响来提高高频应用的能效，从而使二极管可以在更高的温度下工作。
几天前发布的MPS二极管可以屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，并通过空穴注入提高浪涌电流的能力。与硅肖特基器件相比，在与新二极管相同的电流处理条件下，正向压降仅略有增加，并且鲁棒性得到显着提高。
该器件适用于服务器，电信设备，UPS和太阳能逆变器等应用中的功率因数校正（PFC）续流，降压-升压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员提供了系统优化方面的高度灵活性。这些二极管提供2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A至40 A，并且可以在+175°C的高温下工作。
器件规格表：现已提供新型SiC二极管的样品，并已实现量产。交货时间为10周。