跳至内容
深圳市捷比信实业有限公司 · 产品选型与采购咨询联系业务人员
超小封装电容捷比信 · 专业器件主题站

您知道新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器吗?

您知道新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器吗?它有什么作用?宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州— 2019年2月15日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(纽约证券交易所股票代码:VSH)宣布推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器--VOD3120A,以扩大其光电产品组合。 Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压差输出电流消耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级的效率。几天前发布的光耦合器采用CMOS技术,并包含AIGaAs LED,这些LED光耦合到集成电路和轨到轨输出级,以为门控设备提供所需的驱动电压。 VOD3120的电压和电流使其成为直接驱动1200 V / 100 A额定IGBT的理想选择。器件的高隔离电压为VIORM = 891 V,VIOTM = 6000 V,可用于电机驱动,太阳能逆变器,开关电源(SMPS),感应炉表面和不间断电源(UPS)的电流隔离。此外,其欠压锁定(UVLO)功能可防止IGBT / MOSFET故障,并且最小的35 kV /μs共模瞬变抑制能力有助于消除高电压到低电压区域的噪声问题。 PCB板光耦合器的最大传播延迟为0.5 µs,非常适合需要快速切换的应用。该器件符合RoHS要求,可在15 V至30 V的电源电压和-40°C至+105°C的工业温度下工作。以上是对新型2.5 A IGBT和MOSFET驱动器的分析,希望对您有所帮助。