据媒体报道，台积电将在2022年下半年开始批量生产3纳米芯片，月产能为55,000个芯片，到2023年月产量将达到105,000个芯片。据报道，台积电N3将继续使用FinFET鳍式场效应晶体管，而不是过渡到GAA环绕结构场效应晶体管。这与三星已经表示将在3nm节点上使用GAA的三星有所不同。台积电预计N3会在2022年成为最新，最先进的节点。与N5相比，好处也不是很大，性能仅增加1.1-1.15倍，功耗则增加1.25-1.3倍。与7nm相比，在相同功率下，N3的性能应提高1.25倍至1.35倍，在相同性能下，功耗应降低1.55倍至1.6倍。