什么是IGBT？ IGBT被称为绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），它由BJT（BipolarJunctionTransistor）和MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）组成，也称为金属氧化物。半导体场效应晶体管的阵列具有自关闭功能。它具有电压控制，高耐压，低饱和压降，快速开关速度和节能的特点。 IGBT封装结构IGBT封装结构主要由IGBT芯片，DBC导热基板，封装材料，电连接端子等组成。芯片主要为Si，SiC，GaN等。DBC覆铜陶瓷发热陶瓷材料导电衬底主要包括Si3N4，AL2O3，ALN等。从功能上讲，IGBT是可以由计算机控制的电路开关。它广泛用于高铁，轨道交通，智能电网，航空航天，电动汽车和新能源设备。散热问题会影响产品性能。随着高密度，高功率和电力电子设备的小型化的发展，电子设备的大规模使用为我们的生活带来了便利。同时，越来越高的功率使得电子设备的散热问题越来越严重。严重地。因此，散热是一项非常关键的技术，散热的性能直接影响产品的性能和寿命。传统的单面冷却不足以散热。传统电源模块采用单面冷却结构，主要包括电源芯片，焊线，电源端子，外框，绝缘基板（DBC），底板和内部灌胶等，以将底板固定在On上。在冷却器的表面，功率芯片损耗产生的热量通过绝缘基板和底板单向传导到散热器。尽管此方法可以解决某些散热要求，但不能解决一些较大的散热要求。由于采用单侧散热方案，传热通道受到限制且热阻较大，导致芯片与散热表面之间的温差较大。在长期使用过程中，芯片会因温度过高而容易燃烧。双面散热和散热的优势一些小型高功率组件无法使用传统的单面散热结构来满足其散热要求。近年来，对功率模块的双面冷却结构进行了越来越多的研究。与单侧散热结构相比，双面冷却结构在功率芯片的两侧焊接有绝缘导热基板，电源端子均与绝缘导热基板相连，且在绝缘导热基板的外侧安装有散热器。该结构的优点在于，可以减小功率模块的热阻，同时可以减小体积和质量，并且由于结构的改进，还提高了可靠性。层叠的双面冷却散热提高了功率模块的散热性能，并进一步优化了封装结构，从而达到增强散热的目的。设计了一种基于叠层功率芯片的双面散热封装结构。为了尽可能减少换向电路的面积，通过堆叠上芯片和下芯片，充分减少了换向电路的路径和面积，从而增强了散热性能并减小了体积的散热结构。减少了双面散热散热结构的体积，提高了散热性能。与传统结构相比，该结构的体积减小了约90％，而热阻减小了约50％。同时，配套的双面散热套件可以大大降低功率电子设备的工作结温，从而提高功率输出和功率设备的使用寿命。因此，双面冷却技术可以促进功率电子模块向更高集成度，更小封装体积和更大功率密度的发展。编辑：hfy