5GNR射频前端模块/ Qorvo电子爱好者综合报告（由周开阳撰写）在5G通信中，射频前端模块是必不可少的。根据YoleDevelopment的统计，去年RF前端市场在2022年达到167亿美元。预计将达到221.75亿美元。随着用于移动终端的射频模块的不断发展，它也已从离散功率放大器，滤波器和开关组件演变为集成模块FEMID和PAMiD。与FEMiD相比，PAMiD具有更高的集成度，并且更适合于移动终端设备中有限的PCB空间。作为致力于提供射频前端解决方案的最早供应商，Qorvo在这一领域已经开展了20多年，其市场份额位居前三名。在此5G射频前端趋势讨论中，Qorvo华北应用工程经理Fiery Zhang（Fiery Zhang）和Qorvo包装新产品工程副总监Zhao Yongxin（York Zhao）向我们介绍了Qorvo在移动RF前端方面的努力，结束。近年来，LTE和5G的快速发展使RF前端解决方案变得更加复杂，并且使用了越来越多的设备，并且需要解决挑战。例如，越来越多的功能集成在智能手机设计中，而功能设备（例如相机和传感器）占据了很大的空间。因此，射频模块或基带所使用的空间越来越小。因此，射频解决方案的集成已成为市场发展的趋势。集成LNA RF模块/ Qorvo近年来，Qorvo还完成了许多PAMiD集成解决方案，将功率放大器，滤波器，开关和低噪声放大器集成到一个模块（L-PAMiD）中。与分立解决方案相比，该集成解决方案节省了更多空间。过去，必须单独封装5或6个器件以形成单个器件，然后将其放置在PCB上以进行实施。某些设备甚至需要重新包装，并且在PCB上的放置必须确保一定的间隔。集成到模块中后，只需打包一次。此外，在实现相同功能的分立解决方案中，PCB上有很多走线，而在集成解决方案下，手机设计人员不再需要考虑各种设备之间的走线。但是，随着PCB面积越来越小，器件布局越来越紧凑，多个功能模块将同时工作，因此很难解决相互干扰的问题。 Qorvo在仿真实验中发现，如果未正确设计外部机械屏蔽，则L-PAMiD将遭受灵敏度下降（> 4dB）的困扰，而PAMiD将不会出现此问题，因为外部LNA通常距离功率放大器较远。远的。为了改善相互干扰的问题，Qorvo在L-PAMiD上实现了自屏蔽专利的MicroShield技术。当移动电话制造商增加“凸块” / Qorvo射频设备以增加屏蔽高度时，在发送射频时，它也会辐射到周围并引起干扰，这将对附近的接收设备造成干扰。自屏蔽技术将防止其他设备受到辐射的干扰。另一方面，它也可以在一定程度上消除机械屏蔽罩对设备的影响。由于客户设计的屏蔽罩可能会使这些射频设备等辐射的场强返回，因此会影响设备本身的性能。借助自屏蔽技术，客户在设计屏蔽时无需考虑诸如高度和形状之类的因素。但是，自屏蔽技术已不再是一种崭新的技术，它早在十年前就已可用。但是，以前的应用范围相对狭窄，并且随着集成度的提高，它的使用才刚刚开始增加。 Qorvo还进行了多次自行开发的自我屏蔽技术迭代，例如对内部集成器件的选择性屏蔽，其工艺稳定性和质量已达到批量生产标准。 Qorvo当前的自屏蔽技术主要是通过电镀而不是喷涂来实现的。屏蔽罩在腐蚀后通过电镀连接，以实现更高的可靠性和屏蔽性能。 Qorvo还考虑采用自屏蔽抗氧化技术，以减少因外部环境变化而引起的氧化对屏蔽效果的影响。随着频段/ Qorvo的增加，持续的集成趋势提到了5G手机RF设计面临的挑战。 Qorvo认为5G手机在4G手机的基础上增加了更多功能设备