据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个小型/微型LED研发基地，投资额为人民币120亿元（合17亿美元）。消息人士称，三安将在研发基地开始研发GaN和GaAs Mini / Micro LED芯片以及4K显示器。同时，三安计划在该基地建设年产161万片GaN微型/微型LED芯片，75万个砷化镓微型/微型LED芯片和84,000个4K显示器的生产能力。 GaN业务部门的年产能将包括720,000个蓝色Mini LED芯片，90,000个蓝色Micro LED芯片，72万个绿色Mini LED芯片和80,000个绿色Micro LED芯片，而GaAs业务将成为年产能的一部分。生产能力将包括660,000红色微型LED芯片和90,000红色微型LED芯片。但是，消息人士指出，三安光电尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。此外，三安光电还与三星电子合作，共同开发Mini / Micro LED技术。总部位于台湾的PlayNitride计划于2019年8月底开始试生产多达3,000个LED外延晶片，三星还选择PlayNitride作为其Micro LED外延晶片的独家供应商。