尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。在本文中，宇新电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性，这为设计中替代串行SRAM提供了主要动力。 SRAM和FRAM之间的相似之处在许多设计中，SRAM和FRAM表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度，可以支持完全随机的读取和写入访问，并且可以获得所有结果而没有额外的延迟。鉴于两个部分都有使用SPI接口的实现，很明显，这些部分在大多数设计中都可以认为是可互换的。以下各节描述了这些技术的共同属性。存储器容量当今市场上可用的串行SRAM支持从64Kbit到1Mbit的容量。如今，FRAM设备的容量范围从4Kbit到4Mbit。此外，支持超低能耗的新版FRAM将来将支持更高的容量，最高可达16Mbit。即时读写随机存取SRAM和FRAM均支持即时读写操作。其他技术可能会在读取和/或写入中遇到长时间的延迟。此外，SRAM和FRAM可用于访问完全随机的地址，而没有块大小的限制。具有未实现特定边界的SPI地址的SRAM和F-RAM均支持即时读取或写入操作。其他技术可能会遇到更长的读取和/或写入延迟。 SRAM和F-RAM可用于访问完全随机的地址，而没有块大小的限制。 SPI标准实现SRAM和FRAM均支持SPI接口。串行SRAM产品以较低的密度支持SPI，并以512Kbit或更高的密度支持多位双SPI（DSPI）和四SPI（QSPI）。当前，当前的FRAM组件仅支持SPI，而ULEFRAM器件则支持所有SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。 SRAM和FRAM技术的共同功能处于最高水平。 SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到立即存储在内存中的少量兆位随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊的配置或页面边界，并支持标准的SPI物理引脚排列。 q