联发科Dimensity 800U发布:7nm工艺/支持双5G集成5G基带

8月18日,联发科发布了新一代中端5G芯片Dimensity 800U。据悉,联发科Dimensity 800U建立在7纳米制程上,采用八核设计,包括2倍和3倍。
2.4GHz ARM Cortex A76大核+ 6倍; 2.0 GHz ARM Cortex A55节能内核,GPU是ARM Mali-G57。作为新一代5G Soc,联发科技Dimensity 800U集成了5G调制解调器。
这位官员强调,联发科Dimensity 800U不仅完全支持Sub-6GHz频段内的SA和NSA网络,而且还支持5G + 5G双卡双待,双VoNR语音服务,5G双载波聚合和其他最先进的5G技术,为用户带来更高的速度,稳定的5G连接。而且,联发科技Dimensity 800U支持联发科技5G UltraSave节能技术,该技术可以根据网络环境和数据传输条件动态调整调制解调器的工作模式,为用户提供更持久的5G电池寿命。
此外,Dimensity 800U还配备了独立的AI处理器APU,并支持Turbo写闪存加速技术,可以带来极其快速和流畅的5G性能。它还支持120Hz FHD +屏幕刷新率,HDR10 +标准,MediaTek MiraVision图像质量引擎带来了超越HDR10 +的图像质量效果,并支持多种视频HDR优化功能。
在成像方面,联发科技Dimensity 800U可支持多达6400万像素摄像机和四摄像机组合。集成的联发科独立AI处理器APU和ISP提供了一系列AI摄像头增强功能。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1:可靠的选择 G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1是一款专为需要在潮湿或易受水溅环境中操作设备而设计的产品。这款按钮台采用高质量的防水材料制成,确保了即使在恶劣环境下也能正常工作。其设计简洁实用,安装方式简便快捷,通过吊挂...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...
  • 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
  • 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
  • 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
  • PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
  • 积层压敏电阻JMV-N的技术原理与发展前景 积层压敏电阻的工作原理积层压敏电阻(MLV,Multilayer Varistor)基于非线性电阻材料(如氧化锌)构成,其阻值随外加电压变化而剧烈改变。当电压低于阈值时,呈现高阻态;一旦超过启动电压,立即转入低阻状态,实现过压钳位...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 电阻丝功率计算中乘以0.8的考量 在进行电阻丝功率计算时,将计算结果乘以0.8主要是出于实际应用中的效率损失考虑。电阻丝加热元件在实际工作过程中,由于材料特性、散热条件以及供电电压波动等因素的影响,其实际发热效果往往无法达到理论值。乘以0.8...
  • 压力表开关G*-02: 工业安全与效率的关键 压力表开关G*-02是一种专门用于控制和监测管道或容器内压力的设备。这种开关在工业生产过程中扮演着至关重要的角色,它能够确保系统在安全的压力范围内运行,避免因压力异常导致的安全事故。压力表开关G*-02通常被设计成...
  • 意大利SIRAI A225-7/N液位开关:高性能与可靠性的典范 意大利SIRAI生产的液位开关是一种高质量的工业设备,被广泛应用于各种液体的检测与控制。其中,型号为A225-7/N的液位开关尤其受到用户的青睐。这款液位开关以其卓越的性能和可靠性著称,在工业自动化领域扮演着重要角色。...
  • 从0.6X0.3mm到1.6X0.8mm:SMD芯片封装发展趋势与选型指南 前言在电子元器件不断向微型化、高性能演进的背景下,SMD(Surface Mount Device)芯片封装成为连接硬件创新与量产落地的关键环节。本文聚焦于两款极具代表性的封装规格——Chip SMD-0.6X0.3mm 与 Chip SMD-1.6X0.8mm,深入探讨其技术特征...
  • 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
  • N沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 N沟道MOS管基本结构与工作原理N沟道MOS管(N-channel MOSFET)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的一种,其核心特点是在栅极施加正电压时,可在源极和漏极之间形成导电沟道,从而实现电流的控制。该器件由栅极(Gate)、源极(...
  • 射电收发逻辑电路与低Rds(on) MOS管在0.5A应用中的协同设计解析 射电收发逻辑电路与低Rds(on) MOS管的集成优势在现代无线通信系统中,射电收发逻辑电路(GTL)作为高速信号传输的核心组成部分,对系统的稳定性与响应速度提出了极高要求。结合低Rds(on) MOS管(导通电阻极低的金属氧化物半导...