本文指的是PyTorch官方网站上的教程,该教程分为五个基本模块来介绍PyTorch。为了避免文章太长,在五个博客文章中介绍了这五个模块。
第1部分:关于PyTorch的简单知识第2部分:PyTorch的自动梯度计算第3部分:使用PyTorch构建神经网络第4部分:训练神经网络分类器第5部分:数据并行化本文与第2部分有关。第2部分:PyTorch的自动梯度计算autogradpackage是PyTorch中所有神经网络的核心。
首先了解一些基本知识,然后开始训练第一个神经网络。 autogradpackage提供张量上所有操作的自动派生功能。
它是一个按运行定义的框架,这意味着反向传播是根据代码运行条件定义的,并且每次迭代可能都不同。 1 Variable(Variable)autograd.Variable是此软件包的中心类。
它包含一个Tensor并支持几乎所有操作。一旦完成计算,就可以调用.backward(),并且可以自动计算所有渐变。
您可以使用.data属性访问原始张量。相对于变量的梯度值可以累积为.grad。
还有一个对于实现自动渐变非常重要的类:函数变量和函数相互关联,并建立了一个非循环图。每个变量都有一个.grad_fn属性,该属性可以引用创建该变量的函数(那些用户创建的变量除外,它们的grad_fn为空)。
如果要计算导数,可以在Variable上调用.backward()。如果变量是标量(仅一个元素),则无需为Backward()指定任何参数。
但是,如果它具有多个元素,则需要确定grad_output参数(这是具有匹配形状的张量)。 importtorchfromtorch.autogradimportVariable创建变量:x = Variable(torch.ones(2,2),requires_grad = True)print(x)对变量执行操作:y = x + 2print(y)y是由于以下原因而创建的一个操作,因此它具有grad_fn。
print(y.grad_fn)对y进行更多操作:z = y * y * 3out = z.mean()print(z,out)2渐变(Gradients)现在可以反向传播。 out.backward()等效于out.backward(torch.Tensor([1.0]))。
out.backward()打印渐变d(out)/ dxprint(x.grad),您应该得到一个元素值为4.5的矩阵。您可以使用autograd做很多疯狂的事情。
x = torch.randn(3)x =变量(x,requires_grad = True)y = x * 2whiley.data.norm()1000:y = y * 2print(y)gradients = torch.FloatTensor([0.1,1.0, 0.0001])y.backward(gradients)print(x.grad)。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
- 深入解析MOS管H桥电路中GaN MOSFET与硅基MOSFET的核心差异 引言:MOS管H桥在电力电子中的核心地位MOS管H桥电路广泛应用于电机驱动、逆变器和电源转换系统中,其性能直接决定整个系统的效率与可靠性。随着功率器件技术的演进,传统硅基MOSFET正逐步被新型宽禁带半导体材料如氮化镓(...
- 如何选择合适的8V至29V P沟道MOS管?技术参数深度解读 选型关键指标全面解析在设计8V至29V系统的电源控制电路时,正确选择P沟道MOS管是保障系统安全、高效运行的基础。以下为关键参数的详细分析。1. 最大漏源电压(VDS)应确保所选器件的额定VDS高于系统最高工作电压(如29V),...
- 中山北崎SC1808-Y接近开关:工业自动化中的高效解决方案 健力Buiacs的中山北崎接近开关SC1808-Y是一款高性能、耐用的感应设备,适用于多种工业环境。这款接近开关采用二线制设计,工作电压为220V,能够有效地检测金属物体的存在与否,而无需与目标物体进行物理接触。其非接触式的...
- 深入理解P沟道MOS管:从原理到典型电路设计应用 什么是P沟道MOS管?P沟道MOS管(PMOS)是一种以空穴为主要载流子的场效应晶体管,属于增强型或耗尽型器件,常见于集成电路和电源管理模块中。其核心特征是:在栅极施加相对于源极的负电压时,沟道形成并导通电流。1. PMOS的...
- 深度解析:如何正确使用USB-C切换器提升生产力? 深度解析:如何正确使用USB-C切换器提升生产力?在追求高效办公与无缝协作的时代,合理使用USB-C切换器能够显著提升个人与团队的工作效率。本文将从技术原理、实际应用、常见问题及优化建议四个方面,全面解析如何最大化...
- 聚鼎AMPB-H瞬态抑制二极管车规TVS管深度解析:高性能防护新选择 聚鼎AMPB-H瞬态抑制二极管车规TVS管:汽车电子安全的守护者在现代智能汽车系统中,电子元器件面临复杂的电磁环境,瞬态电压冲击(如雷击、电源开关浪涌)成为影响系统稳定性的主要威胁。聚鼎AMPB-H瞬态抑制二极管作为一款...
- 聚鼎AMPC-H瞬态抑制二极管车规TVS管深度解析:性能优势与应用场景 聚鼎AMPC-H瞬态抑制二极管车规TVS管核心特性聚鼎AMPC-H是一款专为汽车电子系统设计的高性能瞬态抑制二极管(TVS),符合AEC-Q101车规级认证标准,具备出色的抗浪涌能力与可靠性。该器件采用先进的半导体工艺制造,可在极端温度...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 德国P+F近接开关:高精度与可靠性的典范 德国P+F公司,即Pepperl+Fuchs,是全球领先的传感器技术和自动化领域的专家。其生产的近接开关(也称为接近传感器或接近开关)是工业自动化领域不可或缺的一部分。这些设备能够无接触地检测物体的存在,广泛应用于各种行业...
- PTTC聚鼎PT08V2DF-C与PMV0402-180G规格书深度解析:性能对比与应用指南 引言在工业自动化、智能设备及嵌入式系统领域,高性能的电子元器件是保障系统稳定运行的关键。PTTC聚鼎作为国内领先的电子元件制造商,其推出的PT08V2DF-C与PMV0402-180G两款产品备受关注。本文将从技术参数、应用场景、性能对...
- 基于西门子PLC的工业温度监控系统中MLCC电容选型指南 精准选型:保障西门子PLC温度监控系统的可靠运行在现代工业控制系统中,温度监控不仅关乎生产安全,也直接影响设备寿命与能效。以西门子PLC为核心的温度监控系统,其稳定运行依赖于每一个电子元器件的精心选型,其中普...
- P沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 P沟道MOS管概述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-channel MOSFET)是一种以空穴为多数载流子的场效应器件,广泛应用于电源管理、开关控制和模拟电路中。其核心优势在于低导通电阻和高开关速度,尤其在需要负电压驱动的...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- 德国P+F接近开关:工业自动化中的关键组件 德国P+F接近开关是工业自动化领域中不可或缺的一部分,它们被广泛应用于各种机械设备和生产线上,以实现非接触式的物体检测。这种传感器通过电磁场或射频技术来识别目标物体,无需与物体直接接触即可检测其存在与否,...
- 深入剖析31V至99V P沟道MOS管的技术参数与选型指南 如何正确选择31V至99V P沟道MOS管?技术参数详解面对市场上众多型号的P沟道MOS管,如何在31V至99V这一电压区间内挑选最适合的器件,是工程师必须掌握的核心技能。本文将从关键参数入手,系统分析选型要点,帮助用户做出科学...
- 德国福P+F接近开关:自动化控制领域的高效解决方案 德国福P+F公司是世界著名的传感器制造商之一,其生产的接近开关在自动化控制领域拥有极高的声誉。福P+F接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到目标物体的存在,这不仅减少了机械磨损,还大大提...
- 深入理解P沟道MOSFET:性能参数、封装类型与常见问题排查 P沟道MOSFET的关键性能参数解析在实际电路设计中,准确理解P沟道MOSFET的各项参数至关重要。以下是几个关键指标及其影响:1. 阈值电压(Vth)通常为负值(如-1.0V ~ -2.5V),表示开启所需的最小栅源电压。若系统供电电压不足以...
- 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
- 铜的电阻温度系数约为0.004/°C 铜是一种常用的导电材料,因其良好的导电性能和相对较低的成本,在电气工程中被广泛应用。铜的电阻温度系数(temperature coefficient of resistance),是指在特定温度范围内,温度每变化1度时,其电阻值相对于基准温度(通常是2...